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一种石墨烯-聚吡咯纳米颗粒复合薄膜电极及其制备方法

摘要

本发明提供了一种石墨烯‑聚吡咯纳米颗粒复合薄膜电极,其由石墨烯和聚吡咯纳米颗粒复合形成,所述聚吡咯纳米颗粒为甲基橙掺杂的聚吡咯纳米颗粒,其尺寸为50~200nm。本发明的复合薄膜电极具有柔性,并具有良好的力学性能以及电化学性能。其具有较高的面积比电容值和体积比电容值,优异的循环稳定性和化学稳定性。与其他薄膜电极相比,本发明的复合薄膜电极制备方法简单,易操作,易于规模化大面积制备。通过对聚吡咯纳米颗粒含量和薄膜厚度的调节可实现对石墨烯‑聚吡咯纳米颗粒复合薄膜的力学性能以及电化学性能的调控,在超级电容器储能领域具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN105810444B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201610238089.4

  • 申请日2016-04-15

  • 分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/48(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构31220 上海旭诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑立

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-17

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/24 申请日:20160415

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    公开

    公开

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