一种利用应力记忆技术制造FinFET结构的方法

摘要

本发明公开了一种利用应力记忆技术制造FinFET结构的方法，包括在衬底上形成Fin结构以及栅极和栅极侧壁，将栅极下方沟道位置以外的Fin部分去除，在NMOS区域的衬底上依次形成一蚀刻停止层和一应力层，将栅极结构覆盖，执行一高温退火过程，然后，去除应力层及蚀刻停止层，使应力层直接作用于Fin沟道两侧的拉应力得到保留，并恢复形成栅极下方沟道位置以外的部分Fin，以形成新的Fin结构。本发明使应力层将拉应力直接作用于Fin沟道两侧，并使得Fin沟道的应力接触面积增大，可对NMOS沟道形成更强的应力效果，从而获得更高的电子迁移率，提高了半导体的性能。