一种双位无结闪存存储器及其编程、擦除和读取方法

摘要

本发明公开了一种双位无结闪存存储器，是一个利用无结晶体管结构的SONOS闪存，其衬底中具有均匀重掺杂N型杂质的源端、漏端和沟道区域而不使用PN结，其氮化硅层包括两个存储位，用于存储电荷，其重掺杂区域具有使SONOS闪存在关断时能完全耗尽该区域电子的厚度；其编程利用带带隧穿热空穴注入方式进行，擦除利用沟道FN隧穿擦除机制进行，读取采用反向读取方式进行，可解决传统浮栅多位存储技术存在的电路结构复杂，读取、写入、擦除速度较慢，对可靠性要求较高的缺陷。