公开/公告号CN1272850C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-08-30
原文格式PDF
申请/专利权人 威盛电子股份有限公司;
申请/专利号CN200310113189.7
发明设计人 李胜源;
申请日2003-12-25
分类号
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人郭凤麟
地址 台湾省台北县
入库时间 2022-08-23 08:58:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-08-30
授权
授权
2005-05-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-16
公开
公开
机译: 引线键合方法的碳化硅结FET的引线键合结构上的引线键合接触区域的方法半导体组件集成电源开关电路,涉及清洁引线键合接触区域
机译: 高频集成电路的多层引线键合结构
机译: 用于高频集成电路的片上板封装,具有硅芯片,该硅芯片的芯包括具有堆积层的铜线,该铜线被结构化,使得可以直接在通道中接近衬底上的铜线以进行引线键合