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公开/公告号CN105304477B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 先进微装置公司;
申请/专利号CN201510434045.4
发明设计人 U·格里布诺;A·卫;J·亨奇科;T·沙伊帕;
申请日2009-10-21
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:12:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-05
授权
2016-03-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20091021
实质审查的生效
2016-02-03
公开
机译: 具有自对准硅化物的栅极和源极/漏极与非硅化物源极漏极区相结合的MOS器件的制造方法
机译: 预先在晶体管中结合硅化物形成凹面的漏极和源极区域
机译:顶部栅极自对准氧化物半导体场效应晶体管中的源极和漏极区域的形成
机译:用于先进20 nm n型场效应晶体管器件中的源极/漏极形成的超低电阻率原位掺杂磷的Si和SiC外延
机译:具有由反转层形成的极浅源极和漏极区的Si MOSFET的短沟道特性
机译:自对准底栅InGaZnO薄膜晶体管,其源极和漏极区由选择性沉积氟化SiNx钝化形成
机译:带有金属置换的源极和漏极的薄膜晶体管
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:具有自对准源极/漏极区域的氧化锌薄膜晶体管掺杂注入硼以提高热稳定性
机译:使用阴影沉积技术制备和表征具有50个非均源漏极分子的分子晶体管:朝着更快,更灵敏的分子为基础的器件