用于生产具有同时回蚀刻的掺杂区的太阳能电池的方法

摘要

公开一种用于生产太阳能电池的方法，在其中多个掺杂区被选择性地或在它们的整个的表面上回蚀刻。在半导体衬底(1)被提供之后，在半导体衬底的表面的部分区中形成多个不同掺杂区(3、5)，多个不同掺杂区(3、5)关于它们的掺杂浓度和/或它们的掺杂极性不同。然后多个不同掺杂区(3、5)被有目的地回蚀刻以实现期望的掺杂分布，并且最终在掺杂区(3、5)中的至少一些形成电触点(21)。多个不同掺杂区的回蚀刻在蚀刻介质中在共用的蚀刻操作中发生。为了使多个不同掺杂区(3、5)的这样的共用的回蚀刻成为可能，提出关于被蚀刻的掺杂区内的期望的掺杂分布的性质，有目的地调整初始未蚀刻的掺杂区(3、5)的性质和影响蚀刻操作的参数二者。