公开/公告号CN106684251B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉华星光电技术有限公司;
申请/专利号CN201611129977.9
申请日2016-12-09
分类号H01L51/50(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;
代理人林才桂;闻盼盼
地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
入库时间 2022-08-23 10:11:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-01
授权
授权
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20161209
实质审查的生效
2017-05-17
公开
公开
机译: 垂直沟道晶体管及制造垂直沟道晶体管的方法
机译: 垂直沟道晶体管和包括垂直沟道晶体管的存储器件
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