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柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法,改变了传统的平面沟道有机薄膜晶体管的构型,使用垂直沟道构型极大的缩短了沟道长度,使得薄膜晶体管可以在较低的驱动电压下获得较大的源漏电流;使用无缺陷、具有高导电性及高透明度的石墨烯材料制备栅极,使得薄膜晶体管的电学性能更好;使用六方氮化硼材料制备栅极绝缘层,与石墨烯材料制备的栅极共同作用,提高了薄膜晶体管的电学性能,并且由于石墨烯材料与六方氮化硼材料均为弯折性能较好的二维原子层结构材料,同时沟道层采用具有柔性的有机半导体材料,使得整个有机薄膜晶体管的弯折性能得到大幅度提高,有利于有机薄膜晶体管在柔性OLED显示屏中的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN106684251B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201611129977.9

  • 发明设计人 卜呈浩;胡国仁;

    申请日2016-12-09

  • 分类号H01L51/50(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;

  • 代理人林才桂;闻盼盼

  • 地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-01

    授权

    授权

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20161209

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

    公开

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