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吡咯与3,4-乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列及制备方法

摘要

本发明提供一种吡咯与3,4‑乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列,本发明同时还公开了其制备方法,涉及高分子共聚,纳米阵列,导电高分子材料,高分子电容器等多个技术领域。本发明制备得到的PPE纳米线阵列最高电流密度、放电时间、比电容、电容保持率,明显大于吡咯以及3,4‑乙烯二氧噻吩均聚物的电流密度。聚3,4‑乙烯二氧噻吩和聚吡咯的区别很多,聚3,4‑乙烯二氧噻吩电学性能远远弱于聚吡咯,同时其聚3,4‑乙烯二氧噻吩的尺寸较大,在聚合时2个环状基团会垂直于纳米线阵列分布在其周围。

著录项

  • 公开/公告号CN106653394B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201611252242.5

  • 发明设计人 钱明;王敏;程梁;

    申请日2016-12-30

  • 分类号H01G11/48(20130101);H01G11/86(20130101);C08G61/12(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构22100 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司;

  • 代理人陈宏伟

  • 地址 130011 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-01

    授权

    授权

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/48 申请日:20161230

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

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