一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法

摘要

本发明涉及一种键合方法，特别涉及一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法。本发明的键合方法通过电镀低熔点铜共晶金属微凸点，并在晶圆键合之后采用高于所述铜共晶金属微凸点熔点的温度退火，使所述铜共晶金属微凸点熔化和并与上下晶圆的金属导体融合形成一个整体的金属层，同时上下晶圆的绝缘层也进行了键合，不仅可以降低Cu‑Cu金属直接键合时对于铜线密度和表面形貌的要求，简化了铜‑铜直接键合工艺，提高了生产效率，而且提高了晶圆键合强度，保证了所制备的半导体产品的良率和稳定性。