具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法

摘要

一种具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法，具有以下步骤：(a)在半导体衬底的表面上多个区域中形成具有第一厚度的第一栅极绝缘膜；(b)在所述多个区中的第一区中除去第一栅极绝缘膜并允许形成自然氧化膜；(c)在还原气氛中加热半导体衬底并选择性地还原和除去在步骤(b)中形成的自然氧化膜；以及(d)在步骤(c)之后，在第一区中的半导体衬底的表面上形成具有比第一厚度薄的第二厚度的第二栅极绝缘膜。