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半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体光元件,其具有半导体层叠部,该半导体层叠部具有光波导层,所述半导体层叠部,在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间,包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第1杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质,所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域,在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第1杂质和所述第2杂质双方,所述2个以上的区域彼此,所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。

著录项

  • 公开/公告号CN104995805B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 古河电气工业株式会社;

    申请/专利号CN201480008713.0

  • 发明设计人 衣川耕平;谷口英广;田岛正文;

    申请日2014-02-13

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王亚爱

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-20

    授权

    授权

  • 2016-02-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/16 申请日:20140213

    实质审查的生效

  • 2015-10-21

    公开

    公开

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