基于单个囚禁离子的单光子源

摘要

本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括掺砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，掺砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分别设置有共光轴的两个多模光纤，两个多模光纤的相对的端面为凹面，凹面的表面设置介质膜，两个多模光纤的凹面的焦点重合，两个多模光纤的凹面之间形成光学微腔，本发明实现单个离子的多普勒极限冷却。单光子源具有很高的产生效率。便于与现有的光通信系统连接。使制备的单光子线宽达到离子能级跃迁的自然线宽。