首页> 中国专利> 一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法

一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbS沉积在电极表面,形成一种载体薄膜,把电极浸入PBS缓冲溶液中,再在恒温水浴锅中生长48~72小时,最后取出电极,电极上就自发地生长上Pb3(PO4)2纳米线薄膜。本发明方法制备过程简单,且所制得的Pb3(PO4)2纳米线薄膜的附着力强,形貌规整,长径比大,直径均一,效率高,成本低,易于大规模生产,在电极材料、传感器和增塑剂等领域有着潜在的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN106335873B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林理工大学;

    申请/专利号CN201610940877.8

  • 发明设计人 潘宏程;汤红园;李建平;

    申请日2016-10-26

  • 分类号B82B3/00(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-13

    授权

    授权

  • 2017-02-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):B82B3/00 申请日:20161026

    实质审查的生效

  • 2017-01-18

    公开

    公开

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