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用于振荡器电路的低电源敏感度的偏置电路

摘要

本发明公开了一种用于振荡器的低电源敏感度的偏置电路,包含5个NMOS和5个PMOS;5个NMOS的源极全部接地,第一NMOS的栅极与漏极短接,为电流输入端;第一~第三NMOS的栅极接同一电位,第一、第二以及第五PMOS的栅极接同一电位,第一、第二以及第五PMOS的源极短接并接电源,第一PMOS的栅极与漏极短接之后接第二NMOS的漏极,第三PMOS的源极接第二PMOS的漏极,第四PMOS的栅极接第二PMOS的漏极,第四PMOS的源极接电源,第三PMOS的栅极与第四PMOS的漏极短接之后与第三NMOS的漏极相连;第四与第五NMOS的栅极相连且第五NMOS的栅极与漏极短接之后接第五PMOS的漏极,第四NMOS的漏极接第三PMOS的漏极。本发明可得到不随电源电压变化的输出电流,增强输出频率的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN105187012B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201510426753.3

  • 发明设计人 宏潇;

    申请日2015-07-20

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-17

    授权

    授权

  • 2016-01-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03B5/04 申请日:20150720

    实质审查的生效

  • 2015-12-23

    公开

    公开

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