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用于低温多晶硅结晶的短脉冲光纤激光器

摘要

来自脉冲式光纤激光器的激光脉冲被导引至非晶硅层以通过重复的熔化和再结晶而产生包括结晶区域的无序排列的多晶硅层。可使用在10kHz至10MHz的重复率下、在约500nm与1000nm之间的波长范围下的约0.5到5ns的激光脉冲持续时间。可通过利用多模光纤中的拉曼散射使激光脉冲频谱展宽或通过将不同相位延迟应用到用激光脉冲形成的光束的不同部分来改善直线光束强度均一性,以减小光束相干性。

著录项

  • 公开/公告号CN104956466B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩耐公司;

    申请/专利号CN201380068763.3

  • 申请日2013-12-19

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王英

  • 地址 美国华盛顿州

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    授权

    授权

  • 2016-05-25

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/268 变更前: 变更后: 申请日:20131219

    著录事项变更

  • 2015-11-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/268 申请日:20131219

    实质审查的生效

  • 2015-09-30

    公开

    公开

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