在通道区下方利用共同注入改善FINFET半导体器件的方法

摘要

本文涉及在通道区下方利用共同注入改善FINFET半导体器件的方法，公开的示例性方法包括，除其它事项外，形成衬底内的鳍片，在至少所述衬底中形成井注入区，在所述鳍片中形成冲停注入区，进行利用至少一中性注入材料的至少一中性注入工艺以形成在所述鳍片中的中性硼扩散阻挡注入区，其中所述中性硼扩散阻挡注入区的上表面位于相较于所述冲停注入区或所述井注入区的任一个，而更靠近所述鳍片的上表面；且形成所述井注入区、所述冲停注入区和所述中性硼扩散阻挡注入区后，在所述鳍片上方形成栅极结构。