退火单晶片的制造方法及退火单晶片

摘要

提供可抑制主要是直径300mm以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生(Grown-in)缺陷，并提供在单晶片表层部具有DZ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可劳斯基(Czochralski)法制作的硅单晶片，以600-1100℃的温度范围进行第一热处理以使基质中形成氧析出物后，再以1150-1300℃的温度范围进行第二热处理。