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晶体生长控制剂、p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法、空穴传输层形成用组合物及太阳能电池

摘要

第一,本发明提供一种能够抑制p型半导体的晶体尺寸增大且能够进行p型半导体微粒表面的化学修饰的晶体生长控制剂、使用了该晶体生长控制剂的p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法、太阳能电池的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。第二,本发明提供即使在使用具有除硫氰酸根离子以外的阴离子的有机盐(离子性液体)的情况下也能促进p型半导体的结晶化及微细化且能进行p型半导体微粒表面的化学修饰的空穴传输层形成用组合物、以及使用了该空穴传输层形成用组合物的太阳能电池。本发明的晶体生长控制剂包含选自通过质子或阳离子的解离而生成硫醇盐阴离子的化合物及二硫醚化合物中的至少1种含硫化合物(但硫氰酸盐除外。),并且控制p型半导体的晶体生长。

著录项

  • 公开/公告号CN106104773B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京应化工业株式会社;

    申请/专利号CN201580012573.9

  • 申请日2015-03-10

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人蒋亭

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-16

    授权

    授权

  • 2016-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/368 申请日:20150310

    实质审查的生效

  • 2016-11-09

    公开

    公开

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