公开/公告号CN106104773B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-16
原文格式PDF
申请/专利权人 东京应化工业株式会社;
申请/专利号CN201580012573.9
申请日2015-03-10
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人蒋亭
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 10:07:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-16
授权
授权
2016-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/368 申请日:20150310
实质审查的生效
2016-11-09
公开
公开
机译: 晶体生长控制剂,p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法,空穴传输层形成用组合物以及太阳能电池
机译: 晶体生长控制剂,p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法,形成空穴传输层的组成以及太阳能电池
机译: 晶体生长控制剂,p型半导体微粒或p型半导体微粒膜的形成方法,形成空穴传输层的组成以及太阳能电池