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一种基于填充不同介电常数材料的SIW移相器

摘要

本发明涉及微波移相器,具体是涉及一种基于填充不同介电常数材料的SIW移相器。该SIW移相器由对应于参考零相位的支路一和对应于所需移相度数的支路二组成:在支路一中将空气作为传播介质,在支路二中用SIW本体介质材料作为传播介质,微带线长度,SIW长度与宽度都会改变基片集成波导的相位,这些措施产生的相移量可以相互补偿,调整物理尺寸参数和填充材料以在宽带频率范围内形成固定的相位差。本发明实现的45°和90°移相器实测带宽分别达到71.8%(7.55‑16GHz,45°±3°)和77.2%(7.35~16.6GHz,90°±5.1°);具有较好的幅度一致性,插入损耗优于2dB;方便与其他平面型无源和有源电路集成。

著录项

  • 公开/公告号CN105514540B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201610067241.7

  • 发明设计人 彭浩;夏鑫淋;黄杰铭;杨涛;

    申请日2016-02-01

  • 分类号

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人张杨

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-13

    授权

    授权

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P1/18 申请日:20160201

    实质审查的生效

  • 2016-04-20

    公开

    公开

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