一种基于p型铜铁矿结构半导体材料的平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备

摘要

本发明涉及一种平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述电池包括空穴传输层和光捕获层；所述光捕获层由MXZ₃型钙钛矿材料形成，其中，M选自Cs⁺、CH₃NH₃⁺、CH₃CH₂NH₃⁺、CH(NH₂)₂⁺或其混合物，X选自Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺或其混合物，Z选自Cl^‑、Br^‑、I^‑或其混合物；所述空穴传输层由p型铜铁矿结构的掺杂或未掺杂的ADO₂型半导体材料形成，其中，A选自Cu或Ag，D选自Cr、Ga、Sc、In、Y或Fe中的一种或多种，掺杂元素选自Mg、Ca、Sr或Ga中的一种或两种。本发明的空穴传输层的薄膜导电性好、能级位置合适、透光率高且成本低廉，可以获得性能优异且稳定的太阳能电池器件，有利于钙钛矿太阳能电池的产业化的推进。