公开/公告号CN104159397B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-06
原文格式PDF
申请/专利权人 广州美维电子有限公司;
申请/专利号CN201410437213.0
申请日2014-08-29
分类号
代理机构广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙);
代理人汤喜友
地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学城新乐路一号
入库时间 2022-08-23 10:07:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-06
授权
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K1/02 申请日:20140829
实质审查的生效
2014-11-19
公开
公开
机译: 空腔结构的制造方法,用于半导体结构的空腔结构的制造方法以及由该空腔结构制造的半导体麦克风
机译: 空腔结构的制造方法,用于半导体结构的空腔结构的制造方法以及由该空腔结构制造的半导体麦克风
机译: 包括空腔和体积的结构的制造方法,包括空腔和体积的结构的制造方法以及包括空腔和体积的结构的气体分析仪的制造方法