具有交替导电类型的区域的用于静电放电保护的半导体装置

摘要

一种保护装置至少包括耦接在第一节点(1201)和第二节点(1202)之间的NPN晶体管(1203)和PNP晶体管(1204)，以便响应于静电放电(ESD)事件从第一节点到第二节点沉降电流。所述晶体管可以被耦接为使得NPN晶体管的N集电极(1222)被耦接到第一节点，NPN晶体管的P基极(1244)耦接到PNP晶体管的P发射极(1224)，NPN晶体管的N发射极(1225)被耦接到PNP晶体管的N基极(1225)，并且PNP晶体管的P集电极(1223)被耦接到第二节点，从而可以实现具有NPNP结构的装置。