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沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法

摘要

本申请公开了一种沟槽型超级结器件的版图结构,是在每个晶粒中具有多个用于形成立柱的沟槽,相邻且平行的沟槽作为一个沟槽阵列,相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直。本申请还公开了一种沟槽型超级结器件的制造方法,已形成的超级结结构是在每个晶粒中具有两个以上的沟槽阵列,每个沟槽阵列由相邻且平行的沟槽所组成,相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直;所述方法包括以离子注入工艺形成覆盖所有沟槽阵列的离子注入区,所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列;最终在所有沟槽阵列上均形成超级结器件。本申请通过相邻的晶粒或单元中的沟槽阵列的相互垂直的排列方向,来抵消深沟槽刻蚀后的应力,并克服了位错等缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN104617133B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201510033925.0

  • 发明设计人 李昊;

    申请日2015-01-23

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L21/18(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人殷晓雪

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-06

    授权

    授权

  • 2015-06-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20150123

    实质审查的生效

  • 2015-05-13

    公开

    公开

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