一种SRAM存储器抗瞬时电离辐射效应加固方法

摘要

本发明涉及一种SRAM存储器抗瞬时电离辐射效应加固方法。本发明采用的加固方法是在不改变电路设计和工艺步骤的前提下利用反应堆中子辐照提高商用SRAM存储器瞬时电离辐射闩锁效应阈值以及提高抗瞬时电离辐射翻转效应阈值，该方法是对商用SRAM存储器进行的外部处理，不改变原有器件结构和固有尺寸，也不会增加外围电路。方法实现容易，降低了研发成本。