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绝缘栅双极型晶体管集电极‑发射极饱和电压测量

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摘要

在一个示例中，一种方法包括确定绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是饱和的，并且在IGBT饱和时，确定该IGBT的集电极‑发射极饱和电压(V_CEsat)。

1. 绝缘栅双极型晶体管集电极‑发射极饱和电压测量 [P] . 中国专利： CN104833842B . 2018.02.13
2. 用于降低绝缘栅双极晶体管中的集电极发射极电压过冲的方法和电路 [P] . 中国专利： CN106160438B . 2019.03.15
3. Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement [P] . 美国专利： US9575113B2 . 2017-02-21

机译：绝缘栅双极型晶体管集电极-发射极饱和电压测量
4. Collector emitter saturation voltage measurement in an insulated gate bipolar transistor [P] . 德国专利： DE102015101637A1 . 2015-08-13

机译：绝缘栅双极型晶体管中集电极发射极饱和电压的测量
5. Desaturation circuitry for insulated gate bipolar transistor, has switching component switched between gate and collector of bipolar transistor, where gate voltage is lowered until voltage lies around forward bias of diode [P] . 德国专利： DE102005045099A1 . 2006-08-10

机译：绝缘栅双极型晶体管的去饱和电路，具有在双极型晶体管的栅极和集电极之间切换的开关组件，其中栅极电压降低，直到电压位于二极管的正向偏置电压附近