临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构

摘要

本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。