公开/公告号CN105374934B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中电海康集团有限公司;
申请/专利号CN201510861269.3
申请日2015-12-01
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/02(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构33216 杭州之江专利事务所(普通合伙);
代理人张慧英
地址 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路998号海创园4号楼701室
入库时间 2022-08-23 10:06:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-06
授权
授权
2016-03-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20151201
实质审查的生效
2016-03-02
公开
公开
机译: 高速,低功率自旋轨道扭矩(SOT)辅助自旋转移扭矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)位单元阵列
机译: 减少货源在随机存取记忆磁电阻中对自旋对转移的影响(stt-来)
机译: 垂直混合自旋转移扭矩(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁性随机存取存储器的通用源线体系结构