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公开/公告号CN111276166B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 西部数据技术公司;
申请/专利号CN201910880012.0
发明设计人 Z·李;S·宋;M·K·S·霍;
申请日2019-09-18
分类号G11B5/31(20060101);H01L43/08(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:59:36
机译: 自旋磁热电器件的氧化物金属半导体超晶格中的巨大横断面塞贝克效应
机译: 自旋磁热电器件的氧化物金属半导体超晶格中的巨型跨平面塞贝克效应
机译: 自旋磁热电设备的氧化物金属半导体超晶格中的巨大跨平面塞贝克效应
机译:绝缘自旋阀中的巨大磁自旋塞贝克效应和磁振子传递扭矩
机译:如何用磁硼 - 氮纳米孔和纳米管结构的高自旋旋转形式实现旋转塞贝克效应?
机译:具有平面内温度梯度的自旋阀中的磁塞贝克效应
机译:纳米自旋扭矩二极管中基于磁隧道塞贝克效应的微波能量采集器
机译:纳米级非易失性存储器电路设计使用新出现的自旋转移扭矩磁随机存取存储器
机译:扶手椅石墨烯纳米带中的无金属磁性自旋相关塞贝克效应和自旋塞贝克二极管效应
机译:使用纳米自旋阀的自旋转移 - 扭矩驱动的磁控逻辑门 支柱
机译:面内磁化磁纳米触点中自旋极化电流激发自定位自旋波子弹:微磁研究