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大尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法

摘要

本发明提供的一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法,在加热炉内,按质量百分比将{xReF3+(1‑x)YF3}:BaF2=2:1,x=0~100%多晶料置于坩埚中,抽真空,向加热炉内先后通入氩气;用控温仪控制加热功率使之熔化,坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差,坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差,引起熔体的自然对流;再用铂金夹头将BaY2F8籽晶固定于籽晶杆,下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长;当氟化物晶体生长到设定尺寸时,开始退火,以20°C/小时的降温速率降温至室温,通过调节转速和加热功率,直至晶体生长结束与熔体脱离,在坩埚内退火,获得大尺寸氟化物晶体。本发明解决了氟化物熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中气泡多等生长不利因素。

著录项

  • 公开/公告号CN104562183B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南技术物理研究所;

    申请/专利号CN201410845260.9

  • 申请日2014-12-31

  • 分类号C30B15/00(20060101);C30B29/12(20060101);

  • 代理机构51121 成飞(集团)公司专利中心;

  • 代理人郭纯武

  • 地址 610041 四川省成都市武侯区人民南路4段7号

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-19

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/00 申请日:20141231

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

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