硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔

摘要

本发明公开了一种硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔的方法，首先在预处理过的硅片上涂覆一层光刻胶，经全息曝光及ICP浅刻蚀技术在硅片上获得光栅图案。然后在硅片上涂覆一层光刻胶，经湿法腐蚀技术在硅片上获得深槽结构。另取一片预处理过的Pyrex玻璃，将处理后的硅片与玻璃进行氧等离子体轰击处理，然后将硅片与玻璃在一定压力和温度下贴合在一起，经阳极键合技术制得标准漏孔。本发明将全息曝光技术、湿法腐蚀技术与阳极键合技术融合在一起，所制得的标准漏孔的尺寸可控，漏率范围较宽，并且由于通道尺寸为纳米级，保证了即使在较高压强的情况下，通道内的气体仍处于分子流状态。