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一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法

摘要

一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法,属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤为:先将钕铁硼取向压坯真空预烧结得到部分致密的预烧坯;再将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中,通过压力浸渗方式,将Dy/Tb盐有机溶液在钕铁硼预烧坯内部“过滤”;Dy3+/Tb3+部分留在预烧坯孔隙内部,经过进一步烧结致密化并发生Dy3+/Tb3+晶界扩散,从而提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。该发明的优点是磁体不受尺寸和形状限制;大大缩短了Dy3+/Tb3+的扩散路径和扩散时间;磁体内部组织结构改善和性能提高的一致性好。

著录项

  • 公开/公告号CN105957706B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201610274316.9

  • 发明设计人 包小倩;卢克超;高学绪;李纪恒;

    申请日2016-04-28

  • 分类号H01F41/02(20060101);H01F1/057(20060101);

  • 代理机构11237 北京市广友专利事务所有限责任公司;

  • 代理人张仲波

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-02

    授权

    授权

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F41/02 申请日:20160428

    实质审查的生效

  • 2016-09-21

    公开

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