法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-26
授权
授权
2015-07-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20130612
实质审查的生效
2015-06-24
公开
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机译: 用于CMOS结构的CMOS TFET N P TFET隧穿场效应晶体管TFET及其制造N型和P型TFET的方法
机译: 用于CMOS结构的CMOS TFET N P TFET隧穿场效应晶体管TFET及其制造N型和P型TFET的方法
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