一种纳米碳片‑硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米碳片‑硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法，属于纳米材料的制备和应用领域。其主要包括以下制备工艺：以用金属催化腐蚀法在洁净硅单晶片上制备的硅纳米线阵列为基底；在基底上利用微波等离子体增强化学气相沉积法生长纳米尺度的碳片；最后以所获得的纳米碳片‑硅纳米线复合结构为阴极组装场电子发射器。本方法所制备的纳米碳片‑硅纳米线复合结构，碳片直径大多为60‑100纳米，边缘层数一般为2‑5层，在硅纳米线表面密集分布。纳米碳片‑硅纳米线复合结构作为场发射阴极材料时具有比单纯硅纳米线阵列更低的开启场和更大的场发射电流密度，有很高的应用价值。