一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法

摘要

本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果。本发明成功地在SPICE软件中实现了忆阻器模型的搭建，利用该模型提出基于忆阻器的可编程电路，并针对整个电路进行了仿真验证。忆阻器和MOS管结合的可编程电路结构简单，管子数目较小，集成度高，有利于集成电路进一步向纳米级别的发展。