用于使用保形填充层改善器件表面均匀性的方法和系统

摘要

本发明公开了一种用于半导体的处理工艺，包括：提供衬底；定义该衬底的沟槽开口区域；执行等离子体蚀刻以在该沟槽开口区域处形成沟槽区域；使该衬底经历利用第一多种气态物质的第一外延过程以形成覆盖该沟槽区域的至少第一侧壁和底部的保护层；以及使该衬底和该保护层经历利用第二多种气态物质的第二外延过程以形成覆盖该保护层并且至少部分地位于该沟槽区域内部的填充材料。本发明进一步提供了一种用于消除或减少半导体器件上的位错缺陷并改善器件性能的半导体处理技术。在该处理工艺中，形成覆盖该沟槽区域的至少第一侧壁和底部的保护层的至少一个外延过程对应于形成覆盖该保护层且至少部分地位于该沟槽区域内部的填充材料。