交错地形成镍硅和镍锗结构

摘要

本发明涉及交错地形成镍硅和镍锗结构。本发明提供了用于在单个半导体衬底上产生半导体器件的系统和方法。产生的单个半导体衬底包括硅材料部分和锗材料部分。由第一金属在硅材料部分上形成第一组源极/漏极接触件。在第一温度下使用硅材料部分对第一组源极/漏极接触件进行退火。在将半导体衬底加热到第一温度之后，由第二金属在锗材料部分上形成第二组源极/漏极接触件，以及在第二温度下使用锗材料部分对第二组源极/漏极接触件进行退火，其中，第二温度小于第一温度。