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使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法

摘要

使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法,通过使用丙烯酸粘着剂蓝膜作为保护二氧化硅层用蓝膜,然后在多余的二氧化硅层经氟化氢腐蚀去除后浸入半导体清洗常用的氨水溶液内,经过一定时间后蓝膜自动被剥离硅片表面。该剥离蓝膜方法操作简单,可以进行批量脱膜,大大提高了生产效率,且没有人员参与到剥离蓝膜的动作中,减少了人员对硅片的沾污与损伤,同时硅片表面的残余的蓝膜胶在剥离蓝膜的过程中被全部去除,节省了工序,降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN104966675B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 麦斯克电子材料有限公司;

    申请/专利号CN201510386872.0

  • 申请日2015-07-06

  • 分类号H01L21/48(20060101);

  • 代理机构41120 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人罗民健

  • 地址 471000 河南省洛阳市洛阳高新技术产业开发区滨河北路99号

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-05

    授权

    授权

  • 2015-11-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20150706

    实质审查的生效

  • 2015-10-07

    公开

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