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公开/公告号CN104220910B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-28
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN201380018528.5
发明设计人 J·A·赫尔嵩末;R·F·佩恩;M·科尔斯;B·S·哈伦;H·阿里;
申请日2013-04-04
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 10:04:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-28
授权
2015-04-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/12 申请日:20130404
实质审查的生效
2014-12-17
公开
机译: 使用嵌入式电介质和金属波导进行芯片间通信
机译: 使用掩埋的电介质和金属波导的芯片之间的通信。
机译:低兆赫兹频率下具有深槽和嵌入式金属电介质光栅的微型介电平板波导器件的传输特性
机译:在金属/电介质/金属亚波长波导中使用不同的等离激元金属对导向色散特性的影响
机译:倒装芯片安装兼容的60 GHz带电介质波导型过滤器使用跳跃耦合
机译:硅中的嵌入式光波导,用于芯片间和芯片内数据光学互连
机译:芯片间光波导耦合分析。
机译:金属纳米粒子对改善纳米粒子的影响混合波导创建的Micro-SERS传感器的检测能力金属槽和电介质条的制造
机译:金属绝缘体 - 金属等离子体波导和硅电介质波导之间的结构耐受垂直方向耦合
机译:金属对介质波导过渡的研究及矩形截面介质波导的耦合特性。