公开/公告号CN1258100C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-05-31
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申请/专利权人 武汉光迅科技有限责任公司;
申请/专利号CN03125255.9
申请日2003-08-11
分类号G02B6/27(20060101);G02B6/32(20060101);G02B6/42(20060101);H04B10/12(20060101);
代理机构武汉开元专利代理有限责任公司;
代理人刘志菊
地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号光迅科技开发管理部
入库时间 2022-08-23 08:58:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-09-13
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20030811
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2006-09-13
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20030811
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2006-09-13
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20030811
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2006-05-31
授权
授权
2006-05-31
授权
授权
2005-04-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-04-20
实质审查的生效
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2005-02-16
公开
公开
2005-02-16
公开
公开
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机译: 半导体MZ光调制器和使用该半导体MZ光调制器的方法
机译: 射频波导相位调制器-在输入中心导体和波导宽面之间有两个Pin二极管
机译: 射频波导相位调制器-在输入中心导体和波导宽面之间有两个Pin二极管