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硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法

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本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Si衬底上生长II-VI族薄膜的方法，是对II-VI族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Si衬底上蒸镀一层ZnO薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ZnO缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法在处理过的ZnO/Si上生长II-VI族半导体材料。在Si上蒸镀ZnO，避免清除其表面的氧化层，蒸镀的ZnO层与Si表面的SiO

著录项

公开/公告号CN1275336C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-09-13

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
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申请/专利号CN02144730.6
发明设计人单崇新;范希武;张吉英;张振中;王晓华;吕有明;刘益春;申德振;
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申请日2002-12-07
分类号
代理机构长春科宇专利代理有限责任公司;
代理人李恩庆
地址 130022 吉林省长春市人民大街140号
入库时间 2022-08-23 08:58:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-02-04

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-09-13

授权

授权
2004-10-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-06-23

公开

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