垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法

摘要

本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺实施难度低；另一方面，该结构的锥形电极能够把两个电极间的电场在锥尖端附近强化，相当于减小了接触电极的尺寸，减小了有效相变体积，降低了功耗。此外，由于可用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，提高了器件的工作可靠性。