;HRA=93-94;σb,1250℃=(65~90%);σb,25℃;σb,1400℃=(52-71%);σb,25℃,氧化速率常数K=2.3×10-11~1.09×10-9kg2/m4·sec。其性能随添加剂AlM-ZrN中AlN含量的不同变化。"/> 以氮华物作烧结助剂的氮化硅基陶瓷(CN87101293.6)-中国专利【掌桥科研】
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以氮华物作烧结助剂的氮化硅基陶瓷

摘要

本发明涉及一类Si3N陶瓷,采用氮化物AlN-ZrN添加剂作为Si3N4的烧结助剂,克服了采用氧化物添加剂作烧结助剂所产生的玻璃相和BeSiN2添加剂作烧结助剂所产生的毒性;有效地提高了常温,高温力学性能和抗氧化性,适合于作高温结构陶瓷。本发明制得的氮化硅基陶瓷主要力学性能为:σb,25℃=609-917MPa;Kic=5.3-7.5MPa;HRA=93-94;σb,1250℃=(65~90%);σb,25℃;σb,1400℃=(52-71%);σb,25℃,氧化速率常数K=2.3×10-11~1.09×10-9kg2/m4·sec。其性能随添加剂AlM-ZrN中AlN含量的不同变化。

著录项

  • 公开/公告号CN1011230B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1991-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN87101293.6

  • 发明设计人 葛昌纯;夏元洛;陈利民;

    申请日1987-12-30

  • 分类号C04B35/58;

  • 代理机构北京科技大学专利代理事务所;

  • 代理人刘月娥

  • 地址 北京市学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1996-02-14

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1991-09-04

    授权

    授权

  • 1991-01-16

    审定

    审定

  • 1989-07-19

    公开

    公开

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