;HRA=93-94;σb,1250℃=(65~90%);σb,25℃;σb,1400℃=(52-71%);σb,25℃,氧化速率常数K=2.3×10-11~1.09×10-9kg2/m4·sec。其性能随添加剂AlM-ZrN中AlN含量的不同变化。"/>
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1996-02-14
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-09-04
授权
授权
1991-01-16
审定
审定
1989-07-19
公开
公开
机译: 氮化硅粉末烧结硅氮化物烧结氮化硅基质和电路板以及包含这种烧结氮化硅基质的热电元件模块
机译: 用于生产氮化硅基烧结体,氮化硅基烧结体的硅氮化物粉末及其生产
机译: 用作切割陶瓷或用作涂层基材的氮化硅陶瓷包含氧化,作为氮化铝插入的氧化铝和氧化镁作为烧结助剂