DEMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种DEMOS器件，在漏区和所述衬底引出区之间设置有一个浅沟槽场氧，浅沟槽场氧横向跨越了漂移区和衬底引出阱区的接触面；在浅沟槽场氧底部设置和浅沟槽场氧底部相隔一段距离的悬浮漂移区，悬浮漂移区能够增加对漂移区和衬底引起阱区之间的PN结的耗尽，从而能够优化漂移区和衬底引起阱区之间的PN结电场分布，提高器件的击穿电压。本发明还公开了一种DEMOS器件的制造方法。