共聚物膜的制作方法、通过该形成方法制作的共聚物膜、及利用共聚物膜的半导体装置

摘要

本发明提供当用作构成半导体装置的层间绝缘膜时，在与其下表面、上表面接触的其它半导体材料的界面上具有高附着性，另外膜整体的有效介电常数可以进一步降低的有机聚合物膜的制作方法。具体地，将气体的多种有机单体穿过在反应室内生成的等离子后喷射到加热的衬底表面上，形成含有由多种有机单体单元构成的骨架的共聚物膜。在该方法中，通过在膜生长的进程中变化各有机单体的相对供给量，从而连续生长层间绝缘膜，其中具有优良的机械强度及附着性、富含硅氧烷结构的膜设置在界面附近(91a、c，92a、c或93a、c)，并且具有低堆积密度的膜设置在它们中间作为中间层(91b、92b或93b)。