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化学机械研磨方法与自我对准方法

摘要

一种化学机械研磨方法与自我对准方法。首先,提供具有图形的基底。然后,于基底上形成碳层,且此碳层覆盖上述的图形。接着,进行化学机械研磨步骤,移除部分碳层,直到暴露出图形的顶面,其中化学机械研磨步骤中使用的研浆中含有氧化剂,所述氧化剂用以氧化碳层,且在化学机械研磨步骤中,经氧化的碳层被移除。之后,以碳层为掩模,移除部分暴露出的图形。

著录项

  • 公开/公告号CN103909464B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华邦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201310007227.4

  • 发明设计人 陈义中;彭徵安;

    申请日2013-01-09

  • 分类号B24B37/00(20120101);

  • 代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人于宝庆;刘春生

  • 地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

  • 入库时间 2022-08-23 10:02:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-31

    授权

    授权

  • 2014-08-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/00 申请日:20130109

    实质审查的生效

  • 2014-08-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/00 申请日:20130109

    实质审查的生效

  • 2014-07-09

    公开

    公开

  • 2014-07-09

    公开

    公开

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