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一种基于最小二乘法的肖特基势垒高度计算方法

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摘要

本发明公开一种基于最小二乘法的肖特基势垒高度计算方法，其特征在于该计算方法包括以下主要步骤：利用I‑V实验中得到的温度T

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 19/00 授权公告日:20171024 终止日期:20181203 申请日:20141203

专利权的终止
2017-10-24

授权

授权
2017-10-24

授权

授权
2015-09-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F19/00 申请日:20141203

实质审查的生效
2015-09-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 19/00 申请日:20141203

实质审查的生效
2015-09-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 19/00 申请日:20141203

实质审查的生效
2015-08-05

公开

公开
2015-08-05

公开

公开
2015-08-05

公开

公开

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1. 一种基于最小二乘法的肖特基势垒高度计算方法 [P] . 中国专利： CN104820768B . 2017.10.24
2. 一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器 [P] . 中国专利： CN109166932A . 2019-01-08
3. A semiconductor device comprising at least one Schottkytype rectifier having controllable barrier height [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0111364B1 . 1989-03-08

机译：一种半导体器件，包括至少一个具有可控势垒高度的肖特基整流器
4. A semiconductor device comprising at least one Schottkytype rectifier having controllable barrier height [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0111364A2 . 1984-06-20

机译：一种半导体器件，包括至少一个具有可控势垒高度的肖特基整流器
5. A method for the production of schottky - diodes with improved height of the barrier [P] . 德国专利： DE2654416A1 . 1977-07-07

机译：一种势垒高度改善的肖特基二极管的生产方法。