4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法

摘要

4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n⁺型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n^‑型层、p^‑型层和p⁺型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p⁺型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n⁺型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p⁺型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n⁺型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。