一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法

摘要

本发明提供了一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法，包括基体、缓冲层、底电极、铌酸铋钙介电层、顶电极，所述基体为晶格常数与CBN的c轴晶格常数匹配的氧化物半导体单晶基片，所述底电极为导电氧化物薄膜。本发明的工艺流程和设备操作简单明了，所用原材料均为市场所售，成本较低，易于器件集成，适合于工业化推广及生产。