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红外焦平面阵列芯片贮存失效率、可靠度的检测方法

摘要

一种红外焦平面阵列芯片贮存失效率、可靠度的检测方法,其贮存失效率方法包括:测量红外焦平面阵列芯片的样品的像元个数;将样品进行分组;测量贮存前每组样品的初始有效像元率,将每组样品在一组高温贮存应力下进行贮存,测量贮存后每组样品的最终有效像元率;根据样品的最终有效像元率和初始有效像元率的差值确定该组样品在对应高温贮存应力下的像元失效率;根据各像元失效率计算样品贮存退化的激活能值,并根据激活能值计算常温贮存应力下的加速系数;根据加速系数和像元个数计算样品的像元在常温条件、预设置信水平下的贮存失效率上限值,将贮存失效率上限值确定为红外焦平面阵列芯片的贮存失效率。本方案降低了检测成本。

著录项

  • 公开/公告号CN104406700B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 工业和信息化部电子第五研究所;

    申请/专利号CN201410693179.3

  • 申请日2014-11-25

  • 分类号

  • 代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人王程

  • 地址 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-19

    授权

    授权

  • 2015-04-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 5/10 申请日:20141125

    实质审查的生效

  • 2015-04-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 5/10 申请日:20141125

    实质审查的生效

  • 2015-03-11

    公开

    公开

  • 2015-03-11

    公开

    公开

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