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一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法

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摘要

本发明公开了一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法，包括：N型半导体硅材料作为半导体衬底，在N型半导体衬底上掺杂N

1. 一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法 [P] . 中国专利： CN104377129B . 2017.09.26
2. 快恢复二极管制作方法及由该方法制作的快恢复二极管 [P] . 中国专利： CN107680907B . 2020.04.17
3. Method of making a planar avalanche photodiode having a longwave sensitivity limit above 1.3 um [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0103084B1 . 1988-09-07

机译：制备具有长波灵敏度极限在1.3 um以上的平面雪崩光电二极管的方法
4. Method of making a planar avalanche photodiode having a longwave sensitivity limit above 1.3 um [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0103084A2 . 1984-03-21

机译：制备具有长波灵敏度极限在1.3 um以上的平面雪崩光电二极管的方法
5. Ultra-fast recovery diode [P] . 日本专利： JP5704652B2 . 2015-04-22

机译：超快恢复二极管